20世纪80年代初，随着人们对半导体材料中缺陷研究的不断深入和砷化镓器件的迅速发展，国际上不少理论学家和实验学家的注意力纷纷集中到砷化镓材料中的所谓“EL2缺陷”上。这种缺陷在不同方法生长的砷化镓材料中普遍存在，且具有许多异常性质，并对大规模集成电路等器件性能起着决定性的影响。

中国科学院院士邹元燨于1981年应用物理化学质量作用定律，在国际上首次提出EL2缺陷可能为AsGaVGaVGs三元络合物。其后，各国科学家根据各自的实验数据先后从不同侧面提出了十多种看法。这些科学家大多采用物理学的研究方法。

邹元燨认为，单纯的物理方法具有一定的局限性，而物理化学方法可以弥补其不足。这一观点在当时引起了一些物理学家的议论，认为是“外行做了内行的事”。但邹元燨一旦认准的方向，再难也要锲而不舍地做下去。

邹元燨和他的学生汪光裕等人认真研究了所有这些结果，较全面地总结出EL2缺陷的有力判别标准，并构成了一个较完整的EL2缺陷模型。邹元燨去世后，这一模型被国际学术界称为“邹氏模型”，认为它能详尽地解释EL2乎所有的电学和光学性质。邹元燨的上述成果获1987年国家自然科学三等奖和1991年中国科学院自然科学一等奖。

1992年，《科学》杂志派记者来上海冶金所采访汪光裕。其中一个问题是:“通常从条理化程度较低的学科领域转向条理化程度较高的学科领域的科学家很难取得成绩，邹先生和您从化学领域转到物理学领域，而且取得了很大的成功。请谈谈遇到过哪些困难，是如何克服的?”

汪光裕认真回答了这个问题，其中提到：“从化学领域介入物理领域，对于邹老师和我来说，确实遇到过很多困难。首先是专业上的差异。物理学的数理基础较强，而化学的实验性较强。对于半导体材料中的深能级点缺陷，更需要高深和严密的理论分析。但为了科学，已年过半百的邹先生，仍自学半导体物理，并十分重视来自物理领域的最新成果。”