艰难求学

邹世昌，1931年7月27日出生于上海市。当他幵始懂事的时候，“八一三” 战争爆发。目 睹日本侵略军掠夺成性的罪恶行径，在他幼小的心灵上埋下了痛切的创伤和悲愤的怒火。在十分艰难的条件下，邹世昌依靠助学金得以继续求学，殷切盼望着抗日战争的胜利，懂得了 国家经济实力强大与科学技术进步是取得战争主动权的重要因素，中国之所以受侵略与压迫，国力不强与技术落后是一个很重要的原因。1945年抗战胜利，但上海的社会依然是“朱门酒肉臭，路有冻死骨，人民仍然处于水深火热之中。当时邹世昌在格致中学求学，学校老师的薪水低得十分可怜，连生计都成问题，要靠典当日子。梦想的破灭使邹世昌又悟出了一个道理，中华民族要走上康庄大道，必须建立一个由人民当家作主的国家和政权。1949年初 ， 邹世昌从上海格致中学毕业后考入了由申新纱厂创办的中国纺织工学院，从该校毕业后可以 直接进入申新所属工厂就业。上海解放以后，邹世昌开始接触新的思想，迫切追求进步，萌生了要投身到国家经济建设高潮中去的决心。于是决定舍近求远 ，转学唐山交通大学冶金工程系，这是邹世昌应国家建设与重工业发展的需要作出的一次重新选择。1952 年从唐山 交通大学毕业，有幸地成为新中国培养的第一批大学生并被分配到中国科学院上海冶金研 究所 ，开始了自己科学研究的生涯。1954-1958年他在莫斯科有色金属学院学习并获副博士学位。

承担项目

60年代初，由于苏联撕毁协议，国家要冶金所联合国内有关单位承担一项由周恩来总理亲自关注的用于制备浓缩铀的甲种分离膜项目，抽调副所长吴自良兼任这个研究室的主任，当时已是研究室主任的邹世昌担任该室工艺大组的组长。在任务紧急、资料匮乏、国外封锁等一系列困难面前，夜以继日，奋力拼搏，终于研制成功性能完全合格的甲种分离膜，并立即投入了生产，为发展中国的原子能工业作出了重要的贡献。从70年代起。邹世昌开展离子束材料改性、合成、加工与分析的研究工作，研究了离子束与固体相互作用的物理过程，发展了一系列新技术，创建了离子束开放实验室。邹世昌于70年代初起就从事半导体材料与器件的研究，由于种种原因，一直到90年代中期中国尚未建立起规模生产的半导体集成电路产业，比起步晚的国家和地区还落后了一大截。他抱着不甘落后、奋发图强的决心，在卸任研究所所长以后，又接受委任投身到在上海浦东建设中国微电子产业的高潮中。

坚守祖国

面对国外优厚的物质待遇和工作条件，邹世昌心地坦然，绝不留恋，他认为祖国再穷也是我们自己的，改变她的落后面貌，正是我们的责任。回顾自己的经历，邹世昌庆幸自己在好的学校中得到了严格的训练与教育，出了校门又投身到严师的门下，老一辈科学家的献身精神和言传身教促使他沿着正确的轨道健康成长。随着时间的推移，邹世昌也被推上了领导科研工作和培养青年科技人员的岗位，他深感自己对年轻一代科技人员所负的责任，决心尽快将自己多年积累的知识与经验传授给他们，帮助他们走上为祖国科技事业而奋斗的轨道。